Фото только для справки
CSD25304W1015T
- Описание :
- MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
- Соответствует RoHS
- Документация (0)
- Добавить в избранное
- Добавить к сравнению
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 3A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 20V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 1.8V，4.5V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 4.4nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 595pF @ 10V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 6-UFBGA，DSBGA
- Packaging :
- -
- Power Dissipation (Max) :
- 750mW (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 32.5mOhm @ 1.5A，4.5V
- Series :
- NexFET
- Supplier Device Package :
- 6-DSBGA
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±8V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1.15V @ 250μA
Уважаемые клиенты и партнеры !
Доставка электронных компонентов по всей России для организаций и частных предпринимателей по безналичному расчету.
Поддержка Escrow для авторизации платежных услуг. Узнать больше
Продукцию по счету Вы можете получить следующим образом:
самовывозом из нашего офиса;
с помощью служб курьерской доставки, в Ваш офис и лично в руки.
В случае, если товар будет забираться самовывозом, необходимо предварительно уведомить о времени приезда сотрудника Вашей организации. В этом случае сотруднику необходимо иметь доверенность или печать организации и документ удостоверяющий личность. Это позволит в кратчайшие сроки получить заказанную Вами продукцию.
